K4E160812CJC50

Produktübersicht

IC Picture

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Hersteller-Nummer K4E160812CJC50
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DRAM
IC-Code 2MX8 EDO

Produktbeschreibung

Gehäuse SOJ-28
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 50 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 2M
Bit Organization x8
Density 16M
Generation 4th Generation
Power Normal Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4E160812CJC50 2.258 2005+ Anfrage senden
K4E160812CJC50 8.336 2005+ Anfrage senden
K4E160812CJC50 12.000 Anfrage senden
K4E160812CJC50 5.000 2002+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4E160812D-BC50 SOJ-28 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E160812D-BC50000 SOJ-28 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E160812D-BC50T SOJ-28 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E160812DJC50 SOJ-28 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C