K4E160812D-BC50

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer K4E160812D-BC50
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DRAM
IC-Code 2MX8 EDO
Andere Bezeichnungen K4E160812D-BC50000
K4E160812D-BC50T
K4E160812D-BC50T00

Produktbeschreibung

Gehäuse SOJ-28
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 50 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 2M
Bit Organization x8
Density 16M
Generation 5th Generation
Power Normal Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4E160812D-BC50 5.500 Anfrage senden
K4E160812D-BC50 720 2010+ Anfrage senden
K4E160812D-BC50 4.500 2008+ Anfrage senden
K4E160812D-BC50 5.000 2008+ Anfrage senden
K4E160812D-BC50 2.258 2005+ Anfrage senden
K4E160812D-BC50 8.336 2005+ Anfrage senden
K4E160812D-BC50 3.200 08+ Anfrage senden
K4E160812D-BC50 5.000 Anfrage senden
K4E160812D-BC50 12.000 Anfrage senden
K4E160812D-BC50 3.500 2004+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4E160812CJC50 SOJ-28 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E160812DJC50 SOJ-28 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C