K4E160812CTC5060

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer K4E160812CTC5060
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DRAM
IC-Code 2MX8 EDO

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP-28
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur 0 C~+70 C
Geschwindigkeit 60 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 2M
Bit Organization x8
Density 16M
Power Normal Power
Generation 4th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4E160812CTC5060 12.000 Anfrage senden
K4E160812CTC5060 13.800 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
GM71VS17800CLT-6 TSOP-28 3.3 V 60 NS 0 C~+70 C
K4E1608120-FC60 TSOP-28 3.3 V 60 NS 0 C~+70 C
K4E160812DTC5060 TSOP-28 3.3 V 60 NS 0 C~+70 C
K4E170812DTC50 TSOP-28 3.3 V 60 NS 0 C~+70 C
KM48V21047AT-6 TSOP-28 3.3 V 60 NS 0 C~+70 C
KM48V21047AT-6(ALT-6 TSOP-28 3.3 V 60 NS 0 C~+70 C
KM48V2104ALT-6 TSOP-28 3.3 V 60 NS 0 C~+70 C
KM48V2104AT-6 TSOP-28 3.3 V 60 NS 0 C~+70 C
KM48V2104AT-60 TSOP-28 3.3 V 60 NS 0 C~+70 C
KM48V2104CS-L6 TSOP-28 3.3 V 60 NS 0 C~+70 C