K4E170812DTC50

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Hersteller-Nummer K4E170812DTC50
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DRAM
IC-Code 2MX8 EDO
Andere Bezeichnungen K4E170812DTC5060

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP-28
Verpackung TRAY
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur 0 C~+70 C
Geschwindigkeit 60 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Bit Organization x8
Power Normal Power
Generation 5th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4E170812DTC50 5.500 Anfrage senden
K4E170812DTC5060 12.000 Anfrage senden
K4E170812DTC5060 7.800 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
GM71VS17800CLT-6 TSOP-28 3.3 V 60 NS 0 C~+70 C
K4E1608120-FC60 TSOP-28 3.3 V 60 NS 0 C~+70 C
K4E160812CTC5060 TSOP-28 3.3 V 60 NS 0 C~+70 C
K4E160812DTC5060 TSOP-28 3.3 V 60 NS 0 C~+70 C
KM48V21047AT-6 TSOP-28 3.3 V 60 NS 0 C~+70 C
KM48V21047AT-6(ALT-6 TSOP-28 3.3 V 60 NS 0 C~+70 C
KM48V2104ALT-6 TSOP-28 3.3 V 60 NS 0 C~+70 C
KM48V2104AT-6 TSOP-28 3.3 V 60 NS 0 C~+70 C
KM48V2104AT-60 TSOP-28 3.3 V 60 NS 0 C~+70 C
KM48V2104CS-L6 TSOP-28 3.3 V 60 NS 0 C~+70 C