K4E160812D-BC60

Produktübersicht

IC Picture

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Hersteller-Nummer	K4E160812D-BC60
Hersteller	SAMSUNG
Produktkategorie	DRAM
IC-Code	2MX8 EDO
Andere Bezeichnungen	K4E16 0812D-BC60
	K4E160812D-BC60000
	K4E160812D-BC60000(00
	K4E160812D-BC60T00

Produktbeschreibung

Gehäuse	SOJ-28
Verpackung
RoHS	Leaded
Spannungsversorgung	3.3 V
Betriebstemperatur	0 C~+85 C
Geschwindigkeit	60 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words	2M
Bit Organization	x8
Density	16M
Generation	5th Generation
Power	Normal Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer	Menge	Datecode
K4E160812D-BC60	6.500		Anfrage senden
K4E160812D-BC60	2.258	2005+	Anfrage senden
K4E160812D-BC60	8.336	2005+	Anfrage senden
K4E160812D-BC60	12.000		Anfrage senden
K4E160812D-BC60	10.000	2003+	Anfrage senden
K4E160812D-BC60	20.000	2003+	Anfrage senden
K4E160812D-BC60	15.300	2003+	Anfrage senden
K4E160812D-BC60	6.988	2003+	Anfrage senden
K4E160812D-BC60	15.000	2003+	Anfrage senden
K4E160812D-BC60	5.560	03+	Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer	Gehäuse	Spannungsversorgung	Geschwindigkeit	Betriebstemperatur
K4E160812C-BC60	SOJ-28	3.3 V	60 NS	0 C~+85 C
K4E160812CJC5060	SOJ-28	3.3 V	60 NS	0 C~+85 C
K4E160812CJC60	SOJ-28	3.3 V	60 NS	0 C~+85 C
K4E160812DJC5060	SOJ-28	3.3 V	60 NS	0 C~+85 C
K4E160812DJC60	SOJ-28	3.3 V	60 NS	0 C~+85 C