K4E170412D-FC6

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer	K4E170412D-FC6
Hersteller	SAMSUNG
Produktkategorie	DRAM
IC-Code	4MX4 EDO
Andere Bezeichnungen	K4E170412D-FC60
	K4E170412D-FC6000
	K4E170412D-FC60000
	K4E170412D-FC60T00

Produktbeschreibung

Gehäuse	TSOP2(24/26)
Verpackung
RoHS	Leaded
Spannungsversorgung	3.3 V
Betriebstemperatur	0 C~+85 C
Geschwindigkeit	60 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Bit Organization	x4
Power	Normal Power
Generation	5th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer	Menge	Datecode
K4E170412D-FC60	4.000		Anfrage senden
K4E170412D-FC60	2.000		Anfrage senden
K4E170412D-FC60	8.336	05+	Anfrage senden
K4E170412D-FC60	8.336	2005+	Anfrage senden
K4E170412D-FC60	3.200	08+	Anfrage senden
K4E170412D-FC60	1.100	07+	Anfrage senden
K4E170412D-FC60	12.000		Anfrage senden
K4E170412D-FC60	12	02	Anfrage senden
K4E170412D-FC60	1.100	2001+	Anfrage senden
K4E170412D-FC60	5.000	2003+	Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer	Gehäuse	Spannungsversorgung	Geschwindigkeit	Betriebstemperatur
K4E160412C-FC60	TSOP2(24/26)	3.3 V	60 NS	0 C~+85 C
K4E160412D-FC6	TSOP2(24/26)	3.3 V	60 NS	0 C~+85 C
K4E160412D-FC60	TSOP2(24/26)	3.3 V	60 NS	0 C~+85 C
K4E170412C-FC60000	TSOP2(24/26)	3.3 V	60 NS	0 C~+85 C
K4E170412D-FC60000SAM	TSOP2(24/26)	3.3 V	60 NS	0 C~+85 C
K4E170412D-TC6	TSOP2(24/26)	3.3 V	60 NS	0 C~+85 C