K4E170412D-FC60000SAM

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer K4E170412D-FC60000SAM
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DRAM
IC-Code 4MX4 EDO

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(24/26)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 60 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Bit Organization x4
Power Normal Power
Generation 5th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4E170412D-FC60000SAM 13.000 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4E160412C-FC60 TSOP2(24/26) 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C
K4E160412D-FC6 TSOP2(24/26) 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C
K4E160412D-FC60 TSOP2(24/26) 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C
K4E170412C-FC60000 TSOP2(24/26) 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C
K4E170412D-FC6 TSOP2(24/26) 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C
K4E170412D-FC60 TSOP2(24/26) 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C
K4E170412D-FC6000 TSOP2(24/26) 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C
K4E170412D-FC60000 TSOP2(24/26) 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C
K4E170412D-FC60T00 TSOP2(24/26) 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C
K4E170412D-TC6 TSOP2(24/26) 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C