K4E171612C-GE50000

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer	K4E171612C-GE50000
Hersteller	SAMSUNG
Produktkategorie	DRAM
IC-Code	1MX16 EDO
Andere Bezeichnungen	K4E171612C-GE50000(00

Produktbeschreibung

Gehäuse	FBGA
Verpackung	TRAY
RoHS	Leaded
Spannungsversorgung	3.3 V
Betriebstemperatur	-25 C~+85 C
Geschwindigkeit	50 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Bit Organization	x16
Power	Normal
Generation	4th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer	Menge	Datecode
K4E171612C-GE50000	10.150	99+	Anfrage senden
K4E171612C-GE50000	8.633	00+	Anfrage senden
K4E171612C-GE50000	1.055	00+	Anfrage senden