K4E641611E-TC50

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer	K4E641611E-TC50
Hersteller	SAMSUNG
Produktkategorie	DRAM
IC-Code	4MX16 EDO
Andere Bezeichnungen	K4E641611E-TC50000

Produktbeschreibung

Gehäuse	TSOP2(50)
Verpackung
RoHS	Leaded
Spannungsversorgung
Betriebstemperatur	0 C~+85 C
Geschwindigkeit	50 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words	4M
Bit Organization	x16
Density	64M
Power	Normal Power
Generation	6th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer	Menge	Datecode
K4E641611E-TC50	4.000		Anfrage senden
K4E641611E-TC50	2.258	2006+	Anfrage senden
K4E641611E-TC50	3.200	08+	Anfrage senden
K4E641611E-TC50	1.800	07+	Anfrage senden
K4E641611E-TC50	12.000		Anfrage senden
K4E641611E-TC50	8.336	2005+	Anfrage senden
K4E641611E-TC50	10.000	2003+	Anfrage senden
K4E641611E-TC50	20.000	2003+	Anfrage senden
K4E641611E-TC50	1.800	2003+	Anfrage senden
K4E641611E-TC50	16.390	2003+	Anfrage senden