K4E641612E-TC70

Produktübersicht

IC Picture

Bilder dienen nur der Illustration

Hersteller-Nummer K4E641612E-TC70
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DRAM
IC-Code 4MX16 EDO

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(50)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 5.0 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 70 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 4M
Bit Organization x16
Density 64M
Power Normal Power
Generation 6th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4E641612E-TC70 30.240 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4E641612B-TC70T00 TSOP2(50) 5.0 V 70 NS 0 C~+85 C
K4E641612C-TC70 TSOP2(50) 5.0 V 70 NS 0 C~+85 C
K4E641612D-TC70 TSOP2(50) 5.0 V 70 NS 0 C~+85 C
K4E641612D-TL70 TSOP2(50) 5.0 V 70 NS 0 C~+85 C
K4E641612E-TL70 TSOP2(50) 5.0 V 70 NS 0 C~+85 C