K4E641612E-TC70

产品概述

IC Picture

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制造商IC编号	K4E641612E-TC70
厂牌	SAMSUNG/三星
IC 类别	DRAM
IC代码	4MX16 EDO

产品详情

脚位/封装	TSOP2(50)
外包装
无铅/环保	含铅
电压(伏)	5.0 V
温度规格	0 C~+85 C
速度	70 NS
标准包装数量
标准外箱
Number Of Words	4M
Bit Organization	x16
Density	64M
Power	Normal Power
Generation	6th Generation

供应链有货

IC 编号	数量	生产年份
K4E641612E-TC70	30,240		索取报价

FFFE/互通料号 (形式，腳位和功能对等)

IC 编号	脚位/封装	电压(伏)	速度	温度规格
K4E641612B-TC70T00	TSOP2(50)	5.0 V	70 NS	0 C~+85 C
K4E641612C-TC70	TSOP2(50)	5.0 V	70 NS	0 C~+85 C
K4E641612D-TC70	TSOP2(50)	5.0 V	70 NS	0 C~+85 C
K4E641612D-TL70	TSOP2(50)	5.0 V	70 NS	0 C~+85 C
K4E641612E-TL70	TSOP2(50)	5.0 V	70 NS	0 C~+85 C