K4E661612C-TL5

Produktübersicht

IC Picture

Bilder dienen nur der Illustration

Hersteller-Nummer K4E661612C-TL5
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DRAM
IC-Code 4MX16 EDO
Andere Bezeichnungen K4E661612C-TL50
K4E661612C-TL50T00
K4E661612C-TL50TOO
K4E661612C-TL5T00

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(50)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 5.0 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 50 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Bit Organization x16
Generation 4th Generation
Power Low Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4E661612C-TL50 4.000 Anfrage senden
K4E661612C-TL50 7.000 00+ Anfrage senden
K4E661612C-TL50 8.000 2000+ Anfrage senden
K4E661612C-TL50 7.000 2000+ Anfrage senden
K4E661612C-TL50 12.000 Anfrage senden
K4E661612C-TL50 6.998 2000+ Anfrage senden
K4E661612C-TL50 10.000 2003+ Anfrage senden
K4E661612C-TL50 7.198 2000+ Anfrage senden
K4E661612C-TL50 7.000 Anfrage senden
K4E661612C-TL50 20.000 2003+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4E641612-TC50 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E641612-TL50 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E6416120-TC50 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E6416120-TL50 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E6416124ETC50 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E641612B-TC50 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E641612B-TC50T00 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E641612B-TL50 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E641612C-TC5 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E641612C-TC50 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C