K4F4E164HD-THCLT2V
Produktübersicht
Bilder dienen nur der Illustration
| Hersteller-Nummer | K4F4E164HD-THCLT2V |
| Hersteller | SAMSUNG |
| Produktkategorie | LPDDR4 SDRAM |
| IC-Code | 512MX32 LPDDR4 |
Produktbeschreibung
| Gehäuse | FBGA-200 |
| Verpackung | |
| RoHS | RoHS |
| Spannungsversorgung | 1.1 V |
| Betriebstemperatur | -40 C~+105 C |
| Geschwindigkeit | 4266 MBPS |
| Standard Stückzahl | |
| Abmessungen Karton |
Verfügbare Angebote
| Teilenummer | Menge | Datecode | |
|---|---|---|---|
| K4F4E164HD-THCLT2V | 80.000 | 25+ | Anfrage senden |
| K4F4E164HD-THCLT2V | 10.000 | Anfrage senden | |
| K4F4E164HD-THCLT2V | 0 | Anfrage senden |
FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)
| Teilenummer | Gehäuse | Spannungsversorgung | Geschwindigkeit | Betriebstemperatur |
|---|---|---|---|---|
| K4F4E164HD-THCL | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -40 C~+105 C |
| K4F6E3S4HB-KHCL | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -40 C~+105 C |
| K4F6E3S4HB-KHCL02V | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -40 C~+105 C |
| K4F6E3S4HB-KHCLT2V | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -40 C~+105 C |
| K4F6E3S4HB-KUCL | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -40 C~+105 C |
| K4F6E3S4HB-KUCL01V | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -40 C~+105 C |
| K4F6E3S4HM | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -40 C~+105 C |
| K4F6E3S4HM-GHCL | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -40 C~+105 C |
| K4F6E3S4HM-GHCL02V | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -40 C~+105 C |
| K4F6E3S4HM-GHCLT2V | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -40 C~+105 C |