K4F6E3S4HM-GHCL
Produktübersicht
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| Hersteller-Nummer | K4F6E3S4HM-GHCL |
| Hersteller | SAMSUNG |
| Produktkategorie | LPDDR4 MOBILE |
| IC-Code | 512MX32 LPDDR4 |
Produktbeschreibung
| Gehäuse | FBGA-200 |
| Verpackung | |
| RoHS | RoHS |
| Spannungsversorgung | 1.1 V |
| Betriebstemperatur | -40 C~+105 C |
| Geschwindigkeit | 4266 MBPS |
| Standard Stückzahl | |
| Abmessungen Karton |
Verfügbare Angebote
| Teilenummer | Menge | Datecode | |
|---|---|---|---|
| K4F6E3S4HM-GHCL | 44.004 | Anfrage senden | |
| K4F6E3S4HM-GHCL | 80.395 | Anfrage senden | |
| K4F6E3S4HM-GHCL | 41.712 | Anfrage senden | |
| K4F6E3S4HM-GHCL | 79.653 | Anfrage senden | |
| K4F6E3S4HM-GHCL | 48.606 | Anfrage senden | |
| K4F6E3S4HM-GHCL | 100,000+ | Anfrage senden | |
| K4F6E3S4HM-GHCL | 36.366 | Anfrage senden | |
| K4F6E3S4HM-GHCL | 100,000+ | Anfrage senden | |
| K4F6E3S4HM-GHCL | 24.696 | Anfrage senden | |
| K4F6E3S4HM-GHCL | 100,000+ | Anfrage senden |
Cross Reference
| Teilenummer | Gehäuse | Spannungsversorgung | Geschwindigkeit | Betriebstemperatur |
|---|---|---|---|---|
| MT53D512M32D2DS-053 AAT:D | WFBGA-200 | 1.1 V | 3733 MBPS | -40 C~+105 C |
FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)
| Teilenummer | Gehäuse | Spannungsversorgung | Geschwindigkeit | Betriebstemperatur |
|---|---|---|---|---|
| K4F6E3S4HB-KHCLT2V | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -40 C~+105 C |
| K4F6E3S4HB-KUCL01V | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -40 C~+105 C |
| K4F6E3S4HM | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -40 C~+105 C |
| K4F6E3S4HM-GHCL02V | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -40 C~+105 C |
| K4F6E3S4HM-GHCLT2V | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -40 C~+105 C |
| K4F6E3S4HM-THCL | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -40 C~+105 C |
| K4F6E3S4HM-THCL02V | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -40 C~+105 C |
| K4F6E3S4HM-THCLT2V | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -40 C~+105 C |
| K4UHE3D4AA-GFCL | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -40 C~+105 C |
| K4UHE3D4AA-GHCL | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -40 C~+105 C |