K4F640812D-TP50

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Hersteller-Nummer K4F640812D-TP50
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DRAM
IC-Code 8MX8 FP

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(32)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur -40 C~+85 C
Geschwindigkeit 50 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 8M
Bit Organization x8
Density 64M
Power Low Power
Generation 5th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4F640812D-TP50 10.000 2003+ Anfrage senden
K4F640812D-TP50 19.003 2003+ Anfrage senden
K4F640812D-TP50 5.108 03+ Anfrage senden
K4F640812D-TP50 20.000 2003+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4F640812C-TI50 TSOP2(32) 3.3 V 50 NS -40 C~+85 C
K4F640812C-TP50 TSOP2(32) 3.3 V 50 NS -40 C~+85 C
K4F640812D-TI50 TSOP2(32) 3.3 V 50 NS -40 C~+85 C
K4F640812E-TI50 TSOP2(32) 3.3 V 50 NS -40 C~+85 C
K4F640812E-TP50 TSOP2(32) 3.3 V 50 NS -40 C~+85 C
K4F660812C-TI50 TSOP2(32) 3.3 V 50 NS -40 C~+85 C
K4F660812C-TP50 TSOP2(32) 3.3 V 50 NS -40 C~+85 C
K4F660812D-TI50 TSOP2(32) 3.3 V 50 NS -40 C~+85 C
K4F660812D-TP50 TSOP2(32) 3.3 V 50 NS -40 C~+85 C
K4F660812E-TI50 TSOP2(32) 3.3 V 50 NS -40 C~+85 C