K4F640812E-TP50

Produktübersicht

IC Picture

Bilder dienen nur der Illustration

Hersteller-Nummer K4F640812E-TP50
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DRAM
IC-Code 8MX8 FP

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(32)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur -40 C~+85 C
Geschwindigkeit 50 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 8M
Bit Organization x8
Density 64M
Generation 6th Generation
Power Low Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4F640812E-TP50 10.000 2003+ Anfrage senden
K4F640812E-TP50 13.000 2003+ Anfrage senden
K4F640812E-TP50 4.664 03+ Anfrage senden
K4F640812E-TP50 20.000 2003+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4F640812C-TI50 TSOP2(32) 3.3 V 50 NS -40 C~+85 C
K4F640812C-TP50 TSOP2(32) 3.3 V 50 NS -40 C~+85 C
K4F640812D-TI50 TSOP2(32) 3.3 V 50 NS -40 C~+85 C
K4F640812D-TP50 TSOP2(32) 3.3 V 50 NS -40 C~+85 C
K4F640812E-TI50 TSOP2(32) 3.3 V 50 NS -40 C~+85 C
K4F660812C-TI50 TSOP2(32) 3.3 V 50 NS -40 C~+85 C
K4F660812C-TP50 TSOP2(32) 3.3 V 50 NS -40 C~+85 C
K4F660812D-TI50 TSOP2(32) 3.3 V 50 NS -40 C~+85 C
K4F660812D-TP50 TSOP2(32) 3.3 V 50 NS -40 C~+85 C
K4F660812E-TI50 TSOP2(32) 3.3 V 50 NS -40 C~+85 C