K4F640812E-TL50

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Hersteller-Nummer K4F640812E-TL50
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DRAM
IC-Code 8MX8 FP

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(32)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 50 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 8M
Bit Organization x8
Density 64M
Generation 6th Generation
Power Low Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4F640812E-TL50 2.258 2005+ Anfrage senden
K4F640812E-TL50 8.336 2005+ Anfrage senden
K4F640812E-TL50 12.000 Anfrage senden
K4F640812E-TL50 10.000 2003+ Anfrage senden
K4F640812E-TL50 16.303 2003+ Anfrage senden
K4F640812E-TL50 1.000 Anfrage senden
K4F640812E-TL50 4.664 03+ Anfrage senden
K4F640812E-TL50 5.000 2003+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4F640812B-TC50 TSOP2(32) 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
K4F640812B-TL50 TSOP2(32) 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
K4F640812C-TC50 TSOP2(32) 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
K4F640812C-TL50 TSOP2(32) 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
K4F640812D-TC50 TSOP2(32) 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
K4F640812D-TL50 TSOP2(32) 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
K4F640812E-TC50 TSOP2(32) 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
K4F660812C-TC50 TSOP2(32) 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
K4F660812C-TL50 TSOP2(32) 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
K4F660812D-TC50 TSOP2(32) 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C