K4F660812D-TC50

Produktübersicht

IC Picture

Bilder dienen nur der Illustration

Hersteller-Nummer K4F660812D-TC50
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DRAM
IC-Code 8MX8 FP
Andere Bezeichnungen K4F660812D-TC50000
K4F660812DTC50

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(32)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 50 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Bit Organization x8
Power Normal Power
Generation 5th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4F660812DTC50 4.160 Anfrage senden
K4F660812DTC50 2.258 2005+ Anfrage senden
K4F660812DTC50 6.800 Anfrage senden
K4F660812DTC50 8.336 2005+ Anfrage senden
K4F660812DTC50 8.336 05+ Anfrage senden
K4F660812DTC50 3.200 08+ Anfrage senden
K4F660812DTC50 960 07+ Anfrage senden
K4F660812DTC50 12.000 Anfrage senden
K4F660812DTC50 54 Anfrage senden
K4F660812DTC50 2 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4F640812B-TC50 TSOP2(32) 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
K4F640812B-TL50 TSOP2(32) 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
K4F640812C-TC50 TSOP2(32) 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
K4F640812C-TL50 TSOP2(32) 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
K4F640812D-TC50 TSOP2(32) 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
K4F640812D-TL50 TSOP2(32) 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
K4F640812E-TC50 TSOP2(32) 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
K4F640812E-TL50 TSOP2(32) 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
K4F660812C-TC50 TSOP2(32) 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
K4F660812C-TL50 TSOP2(32) 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C