K4F8E3S4HD-GHCL
Produktübersicht
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| Hersteller-Nummer | K4F8E3S4HD-GHCL |
| Hersteller | SAMSUNG |
| Produktkategorie | LPDDR4 MOBILE |
| IC-Code | 256MX32 LPDDR4 |
Produktbeschreibung
| Gehäuse | FBGA-200 |
| Verpackung | |
| RoHS | RoHS |
| Spannungsversorgung | 1.1 V |
| Betriebstemperatur | -40 C~+95 C |
| Geschwindigkeit | 1866 MHZ |
| Standard Stückzahl | |
| Abmessungen Karton |
Verfügbare Angebote
| Teilenummer | Menge | Datecode | |
|---|---|---|---|
| K4F8E3S4HD-GHCL | 6.400 | 23+ | Anfrage senden |
| K4F8E3S4HD-GHCL | 1.230 | 22+ | Anfrage senden |
| K4F8E3S4HD-GHCL | 12.800 | Anfrage senden | |
| K4F8E3S4HD-GHCL | 20.000 | Anfrage senden | |
| K4F8E3S4HD-GHCL | 12.800 | 22+ | Anfrage senden |
| K4F8E3S4HD-GHCL | 10.000 | 22+ | Anfrage senden |
| K4F8E3S4HD-GHCL | 30.000 | 22+ | Anfrage senden |
| K4F8E3S4HD-GHCL | 3.000 | 20+ | Anfrage senden |
| K4F8E3S4HD-GHCL | 3.000 | 21+ | Anfrage senden |
| K4F8E3S4HD-GHCL | 3.000 | 2021+ | Anfrage senden |
Cross Reference
| Teilenummer | Gehäuse | Spannungsversorgung | Geschwindigkeit | Betriebstemperatur |
|---|---|---|---|---|
| MT53E256M32D2DS-046 AAT:B | VFBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -40 C~+105 C |
FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)
| Teilenummer | Gehäuse | Spannungsversorgung | Geschwindigkeit | Betriebstemperatur |
|---|---|---|---|---|
| K4F8E3S4HB-MFCJ | FBGA-200 | 1.1 V | 1866 MHZ | -40 C~+95 C |
| K4F8E3S4HB-MFCJ03V | FBGA-200 | 1.1 V | 1866 MHZ | -40 C~+95 C |
| K4F8E3S4HB-MHCJ | FBGA-200 | 1.1 V | 1866 MHZ | -40 C~+95 C |
| K4F8E3S4HD-GFCL | FBGA-200 | 1.1 V | 1866 MHZ | -40 C~+95 C |
| K4F8E3S4HD-GFCL03N | FBGA-200 | 1.1 V | 1866 MHZ | -40 C~+95 C |
| K4F8E3S4HD-GFCL03V | FBGA-200 | 1.1 V | 1866 MHZ | -40 C~+95 C |
| K4F8E3S4HD-GFCLT3V | FBGA-200 | 1.1 V | 1866 MHZ | -40 C~+95 C |
| K4F8E3S4HD-GHCL02V | FBGA-200 | 1.1 V | 1866 MHZ | -40 C~+95 C |
| K4F8E3S4HD-GHCLT2V | FBGA-200 | 1.1 V | 1866 MHZ | -40 C~+95 C |