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| Hersteller-Nummer | K4F8E3S4HD-GHCL |
| Hersteller | SAMSUNG |
| Produktkategorie | LPDDR4 MOBILE |
| IC-Code | 256MX32 LPDDR4 |
| Gehäuse | FBGA-200 |
| Verpackung | TRAY |
| RoHS | RoHS |
| Spannungsversorgung | 1.1 V |
| Betriebstemperatur | -40 C~+105 C |
| Geschwindigkeit | 4266 MBPS |
| Standard Stückzahl | 1280 |
| Abmessungen Karton |
| Teilenummer | Menge | Datecode | |
|---|---|---|---|
| K4F8E3S4HD-GHCL | 5.120 | Anfrage senden | |
| K4F8E3S4HD-GHCL | 14.240 | 25+ | Anfrage senden |
| K4F8E3S4HD-GHCL | 2.560 | 26+ | Anfrage senden |
| K4F8E3S4HD-GHCL | 10.240 | Anfrage senden | |
| K4F8E3S4HD-GHCL | 10.000 | 25+ | Anfrage senden |
| K4F8E3S4HD-GHCL | 2.560 | 25+ | Anfrage senden |
| K4F8E3S4HD-GHCL | 5.120 | 25+ | Anfrage senden |
| K4F8E3S4HD-GHCL | 0 | Anfrage senden | |
| K4F8E3S4HD-GHCL | 10.240 | 25+ | Anfrage senden |
| K4F8E3S4HD-GHCL | 10.000 | Anfrage senden |
| Teilenummer | Gehäuse | Spannungsversorgung | Geschwindigkeit | Betriebstemperatur |
|---|---|---|---|---|
| MT53E256M32D2DS-046 AAT:B | VFBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -40 C~+105 C |
| Teilenummer | Gehäuse | Spannungsversorgung | Geschwindigkeit | Betriebstemperatur |
|---|---|---|---|---|
| MT53D256M32D2DS-046 AAT ES:B | WFBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -40 C~+105 C |
| MT53D256M32D2DS-046 AAT:B | WFBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -40 C~+105 C |
| MT53E256M32D2DS-046 AAT ES:B | VFBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -40 C~+105 C |
| MT53E256M32D2DS-046 AAT:B TR | VFBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -40 C~+105 C |
| MT53E256M32D2DS-046-AAT | VFBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -40 C~+105 C |
| MT53E256M32D2FW-046 AAT:B | TFBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -40 C~+105 C |
| MT53E256M32D2FW-046 AAT:B TR | TFBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -40 C~+105 C |
| NT6AN256T32AV-J1I | WFBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -40 C~+105 C |