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制造商IC编号 | K4F8E3S4HD-GHCL |
厂牌 | SAMSUNG/三星 |
IC 类别 | LPDDR4 MOBILE |
IC代码 | 256MX32 LPDDR4 |
脚位/封装 | FBGA-200 |
外包装 | |
无铅/环保 | 无铅/环保 |
电压(伏) | 1.1 V |
温度规格 | -40 C~+95 C |
速度 | 1866 MHZ |
标准包装数量 | |
标准外箱 |
IC 编号 | 数量 | 生产年份 | |
---|---|---|---|
K4F8E3S4HD-GHCL | 6,400 | 23+ | 索取报价 |
K4F8E3S4HD-GHCL | 1,230 | 22+ | 索取报价 |
K4F8E3S4HD-GHCL | 12,800 | 索取报价 | |
K4F8E3S4HD-GHCL | 20,000 | 索取报价 | |
K4F8E3S4HD-GHCL | 12,800 | 22+ | 索取报价 |
K4F8E3S4HD-GHCL | 10,000 | 22+ | 索取报价 |
K4F8E3S4HD-GHCL | 30,000 | 22+ | 索取报价 |
K4F8E3S4HD-GHCL | 3,000 | 20+ | 索取报价 |
K4F8E3S4HD-GHCL | 3,000 | 21+ | 索取报价 |
K4F8E3S4HD-GHCL | 3,000 | 2021+ | 索取报价 |
IC 编号 | 脚位/封装 | 电压(伏) | 速度 | 温度规格 |
---|---|---|---|---|
MT53E256M32D2DS-046 AAT:B | VFBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -40 C~+105 C |
IC 编号 | 脚位/封装 | 电压(伏) | 速度 | 温度规格 |
---|---|---|---|---|
K4F8E3S4HB-MFCJ | FBGA-200 | 1.1 V | 1866 MHZ | -40 C~+95 C |
K4F8E3S4HB-MFCJ03V | FBGA-200 | 1.1 V | 1866 MHZ | -40 C~+95 C |
K4F8E3S4HB-MHCJ | FBGA-200 | 1.1 V | 1866 MHZ | -40 C~+95 C |
K4F8E3S4HD-GFCL | FBGA-200 | 1.1 V | 1866 MHZ | -40 C~+95 C |
K4F8E3S4HD-GFCL03N | FBGA-200 | 1.1 V | 1866 MHZ | -40 C~+95 C |
K4F8E3S4HD-GFCL03V | FBGA-200 | 1.1 V | 1866 MHZ | -40 C~+95 C |
K4F8E3S4HD-GFCLT3V | FBGA-200 | 1.1 V | 1866 MHZ | -40 C~+95 C |
K4F8E3S4HD-GHCL02V | FBGA-200 | 1.1 V | 1866 MHZ | -40 C~+95 C |
K4F8E3S4HD-GHCLT2V | FBGA-200 | 1.1 V | 1866 MHZ | -40 C~+95 C |