K4H280838E-TLB3

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Hersteller-Nummer K4H280838E-TLB3
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR1 SDRAM
IC-Code 16MX8 DDR1

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 2.5 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 166 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 16M
Bit Organization x8
Density 128M
Internal Banks 4 Banks
Generation 6th Generation
Power Low Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4H280838E-TLB3 10.000 2009+ Anfrage senden
K4H280838E-TLB3 10.000 Anfrage senden
K4H280838E-TLB3 12.000 Anfrage senden
K4H280838E-TLB3 6.000 Anfrage senden
K4H280838E-TLB3 6.988 2003+ Anfrage senden
K4H280838E-TLB3 19.003 2003+ Anfrage senden
K4H280838E-TLB3 5.430 03+ Anfrage senden
K4H280838E-TLB3 20.000 2003+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4H280838BTCB3 TSOP2 2.5 V 166 MHZ 0 C~+85 C
K4H280838C-TCB300 TSOP2 2.5 V 166 MHZ 0 C~+85 C
K4H280838C/D-TCB3 TSOP2 2.5 V 166 MHZ 0 C~+85 C
K4H280838CTCB3 TSOP2 2.5 V 166 MHZ 0 C~+85 C
K4H280838D-TCB300 TSOP2 2.5 V 166 MHZ 0 C~+85 C
K4H280838D-TCB3000 TSOP2 2.5 V 166 MHZ 0 C~+85 C
K4H280838D-TLB3 TSOP2 2.5 V 166 MHZ 0 C~+85 C
K4H280838DTCB3 TSOP2 2.5 V 166 MHZ 0 C~+85 C
K4H280838E-TCB3 TSOP2 2.5 V 166 MHZ 0 C~+85 C
K4H280838E-TCB3 S TSOP2 2.5 V 166 MHZ 0 C~+85 C