K4H281638E-TLB0

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Hersteller-Nummer K4H281638E-TLB0
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR1 SDRAM
IC-Code 8MX16 DDR1

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(66)
Verpackung TRAY
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 2.5 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 133 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 8M
Bit Organization x16
Density 128M
Internal Banks 4 Banks
Power Low Power
Generation 6th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4H281638E-TLB0 1.478 2007+ Anfrage senden
K4H281638E-TLB0 5.538 2006+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4H281638A-TCA2 TSOP2(66) 2.5 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4H281638A-TCB0 TSOP2(66) 2.5 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4H281638A-TLA2 TSOP2(66) 2.5 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4H281638A-TLB0 TSOP2(66) 2.5 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4H281638B-TCA2 TSOP2(66) 2.5 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4H281638B-TCB0 TSOP2(66) 2.5 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4H281638B-TCB0000 TSOP2(66) 2.5 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4H281638B-TCB0000SAM TSOP2(66) 2.5 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4H281638B-TLA2 TSOP2(66) 2.5 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4H281638B-TLB0 TSOP2(66) 2.5 V 133 MHZ 0 C~+85 C