K4H510838ETCCC

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Hersteller-Nummer K4H510838ETCCC
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR1 SDRAM
IC-Code 64MX8 DDR1

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(66)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 2.5 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 200 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 64M
Bit Organization x8
Density 512M
Internal Banks 4 Banks
Generation 6th Generation
Power Normal Power

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4H510838D-UCCCT TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
K4H510838D-UCCCT00 TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
K4H510838D-ULCC TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
K4H510838DUCC TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
K4H510838DUCCC00 TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
K4H510838DUCCC000 TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
K4H510838DUCCCOOO TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
K4H510838EUCCC TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
K4H510838F-6CCC TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
K4H510838F-LCC TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C