K4H510838J-BPB3

Produktübersicht

IC Picture

Bilder dienen nur der Illustration

Hersteller-Nummer K4H510838J-BPB3
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR1 SDRAM
IC-Code 64MX8 DDR1

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(66)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 2.5 V
Betriebstemperatur -40 C~+85 C
Geschwindigkeit 166 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 64M
Bit Organization x8
Density 512M
Internal Banks 4 Banks
Generation 11th Generation
Power Low Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4H510838J-BPB3 4.000 Anfrage senden
K4H510838J-BPB3 2.000 2010+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
EDD5108AGTA-6BLI-E TSOP2(66) 2.5 V 166 MHZ -40 C~+85 C
IS43R86400D-6TI TSOP2(66) 2.5 V 166 MHZ -40 C~+85 C
IS43R86400D-6TLA1 TSOP2(66) 2.5 V 166 MHZ -40 C~+85 C
IS43R86400D-6TLI TSOP2(66) 2.5 V 166 MHZ -40 C~+85 C
IS43R86400E-6TI TSOP2(66) 2.5 V 166 MHZ -40 C~+85 C
IS43R86400E-6TLA1 TSOP2(66) 2.5 V 166 MHZ -40 C~+85 C
IS43R86400E-6TLI TSOP2(66) 2.5 V 166 MHZ -40 C~+85 C
IS43R86400F-6TI TSOP2(66) 2.5 V 166 MHZ -40 C~+85 C
IS43R86400F-6TLA1 TSOP2(66) 2.5 V 166 MHZ -40 C~+85 C
IS43R86400F-6TLI TSOP2(66) 2.5 V 166 MHZ -40 C~+85 C