K4H510838J-LLCC

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Hersteller-Nummer K4H510838J-LLCC
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR1 SDRAM
IC-Code 64MX8 DDR1

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(66)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 2.5 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 200 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 64M
Bit Organization x8
Density 512M
Internal Banks 4 Banks
Generation 11th Generation
Power Low Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4H510838J-LLCC 4.000 Anfrage senden
K4H510838J-LLCC 2.000 2010+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
IS43R86400F-5TL-TR TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
K4H510838-TCCC TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
K4H510838B-LCCC TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
K4H510838B-NCCC TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
K4H510838B-NLCC TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
K4H510838B-TCC TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
K4H510838B-TCCC TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
K4H510838B-TLCC TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
K4H510838B-UCCC TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
K4H510838B-ULCC TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C