K4H511638DKCBO

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Hersteller-Nummer K4H511638DKCBO
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR1 SDRAM
IC-Code 32MX16 DDR1

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(66)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 2.5 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 133 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 32M
Bit Organization x16
Density 512M
Internal Banks 4 Banks
Power Normal Power
Generation 5th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4H511638DKCBO 4.000 Anfrage senden
K4H511638DKCBO 10.000 2009+ Anfrage senden
K4H511638DKCBO 500 2009+ Anfrage senden
K4H511638DKCBO 10.000 Anfrage senden
K4H511638DKCBO 5.000 Anfrage senden
K4H511638DKCBO 12.000 Anfrage senden
K4H511638DKCBO 6.000 Anfrage senden
K4H511638DKCBO 998 2001+ Anfrage senden
K4H511638DKCBO 3.076 2004+ Anfrage senden
K4H511638DKCBO 2.000 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4H511638A-TCA2 TSOP2(66) 2.5 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4H511638A-TCB0 TSOP2(66) 2.5 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4H511638A-TLA2 TSOP2(66) 2.5 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4H511638A-TLB0 TSOP2(66) 2.5 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4H511638B-TC/LB0 TSOP2(66) 2.5 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4H511638B-TCA2 TSOP2(66) 2.5 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4H511638B-TCB TSOP2(66) 2.5 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4H511638B-TCB0 TSOP2(66) 2.5 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4H511638B-TCB0000 TSOP2(66) 2.5 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4H511638B-TLA2 TSOP2(66) 2.5 V 133 MHZ 0 C~+85 C