K4H511638DKCBO

產品概述

IC Picture

圖片僅供參考

製造商IC編號 K4H511638DKCBO
廠牌 SAMSUNG/三星
IC 類別 DDR1 SDRAM
IC代碼 32MX16 DDR1

產品詳情

脚位/封装 TSOP2(66)
外包裝
無鉛/環保 含鉛
電壓(伏) 2.5 V
溫度規格 0 C~+85 C
速度 133 MHZ
標準包裝數量
標準外箱
Number Of Words 32M
Bit Organization x16
Density 512M
Internal Banks 4 Banks
Power Normal Power
Generation 5th Generation

供應鏈有貨

IC 編號 數量 生產年份
K4H511638DKCBO 4,000 索取報價
K4H511638DKCBO 10,000 2009+ 索取報價
K4H511638DKCBO 500 2009+ 索取報價
K4H511638DKCBO 10,000 索取報價
K4H511638DKCBO 5,000 索取報價
K4H511638DKCBO 12,000 索取報價
K4H511638DKCBO 6,000 索取報價
K4H511638DKCBO 998 2001+ 索取報價
K4H511638DKCBO 3,076 2004+ 索取報價
K4H511638DKCBO 2,000 索取報價

FFFE/互通料號 (形式，腳位和功能對等)

IC 編號 脚位/封装 電壓(伏) 速度 溫度規格
K4H511638A-TCA2 TSOP2(66) 2.5 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4H511638A-TCB0 TSOP2(66) 2.5 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4H511638A-TLA2 TSOP2(66) 2.5 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4H511638A-TLB0 TSOP2(66) 2.5 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4H511638B-TC/LB0 TSOP2(66) 2.5 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4H511638B-TCA2 TSOP2(66) 2.5 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4H511638B-TCB TSOP2(66) 2.5 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4H511638B-TCB0 TSOP2(66) 2.5 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4H511638B-TCB0000 TSOP2(66) 2.5 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4H511638B-TLA2 TSOP2(66) 2.5 V 133 MHZ 0 C~+85 C