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Hersteller-Nummer | K4H561638H-UIB0 |
Hersteller | SAMSUNG |
Produktkategorie | DDR1 SDRAM |
IC-Code | 16MX16 DDR1 |
Gehäuse | TSOP2(66) |
Verpackung | TRAY |
RoHS | Leaded |
Spannungsversorgung | 2.5 V |
Betriebstemperatur | -40 C~+85 C |
Geschwindigkeit | 133 MHZ |
Standard Stückzahl | |
Abmessungen Karton | |
Number Of Words | 16M |
Bit Organization | x16 |
Density | 256M |
Internal Banks | 4 Banks |
Generation | 9th Generation |
Power | Normal Power |
Teilenummer | Menge | Datecode | |
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K4H561638H-UIB0 | 2.000 | 2009+ | Anfrage senden |
K4H561638H-UIB0 | 15.000 | 09+ | Anfrage senden |
K4H561638H-UIB0 | 1.658 | 2007+ | Anfrage senden |
K4H561638H-UIB0 | 8.862 | 09+ | Anfrage senden |
Teilenummer | Gehäuse | Spannungsversorgung | Geschwindigkeit | Betriebstemperatur |
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EDD2516KCTA-7ASI-E | TSOP2(66) | 2.5 V | 133 MHZ | -40 C~+85 C |
EDD2516KCTA-7BSI-E | TSOP2(66) | 2.5 V | 133 MHZ | -40 C~+85 C |
K4H561638D-TIB0 | TSOP2(66) | 2.5 V | 133 MHZ | -40 C~+85 C |
K4H561638H-UPB0 | TSOP2(66) | 2.5 V | 133 MHZ | -40 C~+85 C |
K4H561638J-UIB0 | TSOP2(66) | 2.5 V | 133 MHZ | -40 C~+85 C |
K4H561638J-UPB0 | TSOP2(66) | 2.5 V | 133 MHZ | -40 C~+85 C |