K4H561638H-UIB0

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Hersteller-Nummer K4H561638H-UIB0
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR1 SDRAM
IC-Code 16MX16 DDR1

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(66)
Verpackung TRAY
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 2.5 V
Betriebstemperatur -40 C~+85 C
Geschwindigkeit 133 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 16M
Bit Organization x16
Density 256M
Internal Banks 4 Banks
Generation 9th Generation
Power Normal Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4H561638H-UIB0 2.000 2009+ Anfrage senden
K4H561638H-UIB0 15.000 09+ Anfrage senden
K4H561638H-UIB0 1.658 2007+ Anfrage senden
K4H561638H-UIB0 8.862 09+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
EDD2516KCTA-7ASI-E TSOP2(66) 2.5 V 133 MHZ -40 C~+85 C
EDD2516KCTA-7BSI-E TSOP2(66) 2.5 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4H561638D-TIB0 TSOP2(66) 2.5 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4H561638H-UPB0 TSOP2(66) 2.5 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4H561638J-UIB0 TSOP2(66) 2.5 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4H561638J-UPB0 TSOP2(66) 2.5 V 133 MHZ -40 C~+85 C