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制造商IC编号 | K4H561638H-UIB0 |
厂牌 | SAMSUNG/三星 |
IC 类别 | DDR1 SDRAM |
IC代码 | 16MX16 DDR1 |
脚位/封装 | TSOP2(66) |
外包装 | TRAY |
无铅/环保 | 含铅 |
电压(伏) | 2.5 V |
温度规格 | -40 C~+85 C |
速度 | 133 MHZ |
标准包装数量 | |
标准外箱 | |
Number Of Words | 16M |
Bit Organization | x16 |
Density | 256M |
Internal Banks | 4 Banks |
Generation | 9th Generation |
Power | Normal Power |
IC 编号 | 脚位/封装 | 电压(伏) | 速度 | 温度规格 |
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EDD2516KCTA-7ASI-E | TSOP2(66) | 2.5 V | 133 MHZ | -40 C~+85 C |
EDD2516KCTA-7BSI-E | TSOP2(66) | 2.5 V | 133 MHZ | -40 C~+85 C |
K4H561638D-TIB0 | TSOP2(66) | 2.5 V | 133 MHZ | -40 C~+85 C |
K4H561638H-UPB0 | TSOP2(66) | 2.5 V | 133 MHZ | -40 C~+85 C |
K4H561638J-UIB0 | TSOP2(66) | 2.5 V | 133 MHZ | -40 C~+85 C |
K4H561638J-UPB0 | TSOP2(66) | 2.5 V | 133 MHZ | -40 C~+85 C |