K4H561638D-TIB0
产品概述
图片仅供参考
| 制造商IC编号 | K4H561638D-TIB0 |
| 厂牌 | SAMSUNG/三星 |
| IC 类别 | DDR1 SDRAM |
| IC代码 | 16MX16 DDR1 |
产品详情
| 脚位/封装 | TSOP2(66) |
| 外包装 | TRAY |
| 无铅/环保 | 含铅 |
| 电压(伏) | 2.5 V |
| 温度规格 | -40 C~+85 C |
| 速度 | 133 MHZ |
| 标准包装数量 | |
| 标准外箱 | |
| Number Of Words | 16M |
| Bit Organization | x16 |
| Density | 256M |
| Internal Banks | 4 Banks |
| Generation | 5th Generation |
| Power | Normal Power |
供应链有货
| IC 编号 | 数量 | 生产年份 | |
|---|---|---|---|
| K4H561638D-TIB0 | 382 | 索取报价 |
FFFE/互通料号 (形式，腳位和功能对等)
| IC 编号 | 脚位/封装 | 电压(伏) | 速度 | 温度规格 |
|---|---|---|---|---|
| EDD2516KCTA-7ASI-E | TSOP2(66) | 2.5 V | 133 MHZ | -40 C~+85 C |
| EDD2516KCTA-7BSI-E | TSOP2(66) | 2.5 V | 133 MHZ | -40 C~+85 C |
| K4H561638H-UIB0 | TSOP2(66) | 2.5 V | 133 MHZ | -40 C~+85 C |
| K4H561638H-UPB0 | TSOP2(66) | 2.5 V | 133 MHZ | -40 C~+85 C |
| K4H561638J-UIB0 | TSOP2(66) | 2.5 V | 133 MHZ | -40 C~+85 C |
| K4H561638J-UPB0 | TSOP2(66) | 2.5 V | 133 MHZ | -40 C~+85 C |