K4H561638H-UPCC

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Hersteller-Nummer K4H561638H-UPCC
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR1 SDRAM
IC-Code 16MX16 DDR1

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(66)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 2.5 V
Betriebstemperatur -40 C~+85 C
Geschwindigkeit 200 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 16M
Bit Organization x16
Density 256M
Internal Banks 4 Banks
Generation 9th Generation
Power Low Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4H561638H-UPCC 4.000 Anfrage senden
K4H561638H-UPCC 2.000 2009+ Anfrage senden
K4H561638H-UPCC 1.666 2007+ Anfrage senden
K4H561638H-UPCC 8.862 09+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
A3S56D40ETP-G5I TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ -40 C~+85 C
A3S56D40FTP-G5I TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ -40 C~+85 C
EDD2516AKTA5BTI TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ -40 C~+85 C
EDD2516AKTA5CLI TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ -40 C~+85 C
EDD2516AKTA5CLIE TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ -40 C~+85 C
H5DU2562GTR-E3I TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ -40 C~+85 C
IS43R16160B-5TI TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ -40 C~+85 C
IS43R16160B-5TI-TR TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ -40 C~+85 C
IS43R16160B-5TLI TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ -40 C~+85 C
IS43R16160D -5TLA1 TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ -40 C~+85 C