K4M283233H-FN75

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Hersteller-Nummer K4M283233H-FN75
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie SDRAM MOBILE
IC-Code 4MX32 SD
Andere Bezeichnungen K4M283233H-FN750
K4M283233H-FN75000
K4M283233H-FN75T
K4M283233H-FN75T00
K4M283233HFN750JR

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-90
Verpackung
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 3.0V/3.3V
Betriebstemperatur -25 C~+85 C
Geschwindigkeit 133 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 4M
Bit Organization x32
Density 128M
Internal Banks 4 Banks
Power Low, i-TCSR
Generation 9th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4M283233H-FN75 5.500 Anfrage senden
K4M283233H-FN75T 1.478 09+ Anfrage senden
K4M283233H-FN750 3.695 09+ Anfrage senden
K4M283233H-FN75 11.500 2008+ Anfrage senden
K4M283233H-FN750 1.756 2007+ Anfrage senden
K4M283233H-FN75 500 2005+ Anfrage senden
K4M283233H-FN75 4.480 2008+ Anfrage senden
K4M283233H-FN75 29.272 08+ Anfrage senden
K4M283233H-FN75 7.680 Anfrage senden
K4M283233H-FN75 11.000 08+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4M283232H-HN75 FBGA-90 3.3 V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M283233H-FG75 FBGA-90 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M283233H-FG7L FBGA-90 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M283233H-HE75 FBGA-90 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M283233H-HG75 FBGA-90 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M283233H-HG7L FBGA-90 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M283233H-HN75 FBGA-90 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M283233H-HN75 OR FBGA-90 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M283233H-HN750 FBGA-90 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M283233H-HN7500 FBGA-90 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C