K4M283233H-HN75

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer K4M283233H-HN75
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie SDRAM MOBILE
IC-Code 4MX32 SD
Andere Bezeichnungen K4M283233H-HN750
K4M283233H-HN7500
K4M283233H-HN75000
K4M283233H-HN750JR
K4M283233H-HN75T
K4M283233H-HN75TJR

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-90
Verpackung TRAY
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 3.0V/3.3V
Betriebstemperatur -25 C~+85 C
Geschwindigkeit 133 MHZ
Standard Stückzahl 1120
Abmessungen Karton
Number Of Words 4M
Bit Organization x32
Density 128M
Internal Banks 4 Banks
Power Low, i-TCSR
Generation 9th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4M283233H-HN75 10.470 200831+ Anfrage senden
K4M283233H-HN75 3.360 08+ Anfrage senden
K4M283233H-HN750JR 293 Anfrage senden
K4M283233H-HN75 6.500 Anfrage senden
K4M283233H-HN75000 5.500 Anfrage senden
K4M283233H-HN75 10.000 21+ Anfrage senden
K4M283233H-HN75 1.120 08+ Anfrage senden
K4M283233H-HN75 20 DC08 Anfrage senden
K4M283233H-HN75 20 8 Anfrage senden
K4M283233H-HN75 2.240 100% NEW Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4M283232H-HN75 FBGA-90 3.3 V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M283233H-FG75 FBGA-90 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M283233H-FG7L FBGA-90 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M283233H-FN75 FBGA-90 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M283233H-FN750 FBGA-90 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M283233H-FN75000 FBGA-90 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M283233H-FN75T FBGA-90 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M283233H-FN75T00 FBGA-90 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M283233H-HE75 FBGA-90 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M283233H-HG75 FBGA-90 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C