K4M511633EBG75
Produktübersicht
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| Hersteller-Nummer | K4M511633EBG75 |
| Hersteller | SAMSUNG |
| Produktkategorie | SDRAM MOBILE |
| IC-Code | 32MX16 SD |
Produktbeschreibung
| Gehäuse | FBGA |
| Verpackung | |
| RoHS | Leaded |
| Spannungsversorgung | 1.8 V |
| Betriebstemperatur | -25 C~+85 C |
| Geschwindigkeit | 133MHZ |
| Standard Stückzahl | |
| Abmessungen Karton | |
| Number Of Words | 32M |
| Bit Organization | x16 |
| Density | 512M |
| Internal Banks | 4 Banks |
| Generation | 6th Generation |
| Power | Low, i-TCSR & PASR & DS |
Verfügbare Angebote
| Teilenummer | Menge | Datecode | |
|---|---|---|---|
| K4M511633EBG75 | 4.000 | Anfrage senden |
FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)
| Teilenummer | Gehäuse | Spannungsversorgung | Geschwindigkeit | Betriebstemperatur |
|---|---|---|---|---|
| K4M51163PGHG75 | FBGA | 1.8 V | 133MHZ | -25 C~+85 C |