K4M51163PE-BG75

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer K4M51163PE-BG75
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie SDRAM MOBILE
IC-Code 32MX16 SD
Andere Bezeichnungen K4M51163PE-BG75000

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-54
Verpackung TRAY
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.8 V
Betriebstemperatur -25 C~+85 C
Geschwindigkeit 133 MHZ
Standard Stückzahl 1280
Abmessungen Karton
Number Of Words 32M
Bit Organization x16
Density 512M
Internal Banks 4 Banks
Generation 6th Generation
Power Low, i-TCSR & PASR & DS

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4M51163PE-BG75000 15 Anfrage senden
K4M51163PE-BG75000 482 Anfrage senden
K4M51163PE-BG75000 10.138 Anfrage senden
K4M51163PE-BG75 11.200 2008+ Anfrage senden
K4M51163PE-BG75 1.120 Anfrage senden
K4M51163PE-BG75000 5 Anfrage senden
K4M51163PE-BG75 4.480 08+ Anfrage senden
K4M51163PE-BG75 2.000 08+ Anfrage senden

Cross Reference

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4M51163PG-BG75 FBGA-54 1.8 V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M51163PG-BG75000 FBGA-54 1.8 V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M51163PG-BG75T00 FBGA-54 1.8 V 133 MHZ -25 C~+85 C

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4M511633C-BE75 FBGA-54 1.8 V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M511633C-BG75 FBGA-54 1.8 V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M511633C-BG750 FBGA-54 1.8 V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M511633C-BG75000 FBGA-54 1.8 V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M511633C-BN75 FBGA-54 1.8 V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M511633C-RG75 FBGA-54 1.8 V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M511633C-VG75 FBGA-54 1.8 V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M51163LC-BE75 FBGA-54 1.8 V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M51163LC-BG75 FBGA-54 1.8 V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M51163LC-BG750 FBGA-54 1.8 V 133 MHZ -25 C~+85 C