K4M561633G-BN75 IC
Produktübersicht
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| Hersteller-Nummer | K4M561633G-BN75 IC |
| Hersteller | SAMSUNG |
| Produktkategorie | SDRAM MOBILE |
| IC-Code | 16MX16 SD |
Produktbeschreibung
| Gehäuse | BGA |
| Verpackung | |
| RoHS | Leaded |
| Spannungsversorgung | 3.0V/3.3V |
| Betriebstemperatur | -25 C~+85 C |
| Geschwindigkeit | 133 MHZ |
| Standard Stückzahl | |
| Abmessungen Karton | |
| Number Of Words | 16M |
| Bit Organization | x16 |
| Density | 256M |
| Internal Banks | 4 Banks |
| Power | Low, i-TCSR |
| Generation | 8th Generation |
Verfügbare Angebote
| Teilenummer | Menge | Datecode | |
|---|---|---|---|
| K4M561633G-BN75 IC | 4.848 | 06+ | Anfrage senden |
FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)
| Teilenummer | Gehäuse | Spannungsversorgung | Geschwindigkeit | Betriebstemperatur |
|---|---|---|---|---|
| K4S561633F-XN75 | BGA | 3.3 V | 133 MHZ | -25 C~+85 C |
| K4S561633F-XN75000 | BGA | 3.3 V | 133 MHZ | -25 C~+85 C |
| K4S561633F-XN75T00 | BGA | 3.3 V | 133 MHZ | -25 C~+85 C |