K4M561633G-RN75

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer K4M561633G-RN75
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie SDRAM MOBILE
IC-Code 16MX16 SD
Andere Bezeichnungen K4M561633G-RN750
K4M561633G-RN75000
K4M561633G-RN75T00
K4M561633GRN75T

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-54
Verpackung
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 3.0V/3.3V
Betriebstemperatur -25 C~+85 C
Geschwindigkeit 133 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 16M
Bit Organization x16
Density 256M
Internal Banks 4 Banks
Power Low, i-TCSR
Generation 8th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4M561633G-RN75000 5.500 Anfrage senden
K4M561633G-RN75 565 DC08 Anfrage senden
K4M561633G-RN75000 570 DC07+ Anfrage senden
K4M561633G-RN75000 570 07+ Anfrage senden
K4M561633G-RN75 200 9 Anfrage senden
K4M561633G-RN75T00 5.017 2008+ Anfrage senden
K4M561633G-RN75 3.200 Anfrage senden
K4M561633GRN75T 2.568 09+ Anfrage senden
K4M561633G-RN750 1.025 09+ Anfrage senden
K4M561633G-RN75 8.925 2006+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4M561633G-75 FBGA-54 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M561633G-BC75 FBGA-54 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M561633G-BE75 FBGA-54 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M561633G-BF75 FBGA-54 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M561633G-BN75 FBGA-54 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M561633G-BN75 FBGA-54 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M561633G-BN750 FBGA-54 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M561633G-BN75000 FBGA-54 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M561633G-BN750JR FBGA-54 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M561633G-BN75T FBGA-54 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C