K4S283233F-FE75

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Hersteller-Nummer K4S283233F-FE75
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie SDRAM MOBILE
IC-Code 4MX32 SD

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-90
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.0V/3.3V
Betriebstemperatur -25 C~+85 C
Geschwindigkeit 133 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 4M
Bit Organization x32
Density 128M
Internal Banks 4 Banks
Power Normal
Generation 7th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4S283233F-FE75 1.894 2007+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4M283232H-HN75 FBGA-90 3.3 V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M283233H-FG75 FBGA-90 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M283233H-FG7L FBGA-90 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M283233H-FN75 FBGA-90 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M283233H-FN750 FBGA-90 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M283233H-FN75000 FBGA-90 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M283233H-FN75T FBGA-90 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M283233H-FN75T00 FBGA-90 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M283233H-HE75 FBGA-90 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M283233H-HG75 FBGA-90 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C