K4S510832M-TL75

Produktübersicht

IC Picture

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Hersteller-Nummer K4S510832M-TL75
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie SDRAM
IC-Code 64MX8 SD
Andere Bezeichnungen K4S510832M-TL750000

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(54)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 133 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 64M
Bit Organization x8
Density 512M
Internal Banks 4 Banks
Generation 1st Generation
Power Low Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4S510832M-TL75 5.500 Anfrage senden
K4S510832M-TL75 2.000 2008+ Anfrage senden
K4S510832M-TL75 1.981 2007+ Anfrage senden
K4S510832M-TL75 8.336 2005+ Anfrage senden
K4S510832M-TL75 8.336 05+ Anfrage senden
K4S510832M-TL75 700 200329 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4S510832B-UC( L)75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4S510832B-UC75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4S510832BTC-75T00 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4S510832BTC75T000 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4S510832BTL75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4S510832BUC75000 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4S510832BUC75T00 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4S510832C-KC75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4S510832C-KL75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4S510832C-KL75000 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C