K4S561632D-TE75

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Hersteller-Nummer K4S561632D-TE75
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie SDRAM
IC-Code 16MX16 SD

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(54)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur -25 C~+85 C
Geschwindigkeit 133 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 16M
Bit Organization x16
Density 256M
Internal Banks 4 Banks
Power Normal
Generation 5th Generation

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4S561632B-TE75000 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4S561632BTE75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4S561632C D E H-TC60 75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4S561632C D E H-TL60 75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4S561632C-RN75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4S561632C-TE75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4S561632C-TE7C TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4S561632C-TN-75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4S561632C-TN-7C TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4S561632J-UN75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -25 C~+85 C