K4S561632BTE75

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Hersteller-Nummer K4S561632BTE75
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie SDRAM
IC-Code 16MX16 SD
Andere Bezeichnungen K4S561632B-TE75000

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(54)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur -25 C~+85 C
Geschwindigkeit 133 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 16M
Bit Organization x16
Density 256M
Internal Banks 4 Banks
Generation 3rd Generation
Power Normal

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4S561632BTE75 1.600 Anfrage senden
K4S561632BTE75 1.000 Anfrage senden
K4S561632BTE75 915 Anfrage senden
K4S561632BTE75 1.500 Anfrage senden
K4S561632BTE75 915 01 Anfrage senden
K4S561632B-TE75000 919 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4S561632B-TE1L000 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4S561632C D E H-TC60 75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4S561632C D E H-TL60 75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4S561632C-RN75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4S561632C-TE75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4S561632C-TE7C TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4S561632C-TN-75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4S561632C-TN-7C TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4S561632D-TE75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4S561632J-UN75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -25 C~+85 C