K4S563233G-HN75

Produktübersicht

IC Picture

Bilder dienen nur der Illustration

Hersteller-Nummer K4S563233G-HN75
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie SDRAM
IC-Code 8MX32 SD
Andere Bezeichnungen K4S563233G-HN7500

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur -25 C~+85 C
Geschwindigkeit 133 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 8M
Bit Organization x32
Density 256M
Internal Banks 4 Banks
Power Low, i-TCSR
Generation 8th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4S563233G-HN7500 2.000 2008+ Anfrage senden
K4S563233G-HN7500 2.000 08+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4S563232F-FN75 FBGA 3.3 V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4S563233F-FE75 FBGA 3.3 V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4S563233F-FG75 FBGA 3.3 V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4S563233F-FN75 FBGA 3.3 V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4S563233F-FN75000 FBGA 3.3 V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4S563233F-HE75 FBGA 3.3 V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4S563233F-HG75 FBGA 3.3 V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4S56323LF-FE75 FBGA 3.3 V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4S56323LF-FN75 FBGA 3.3 V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4S56323LF-FN75000 FBGA 3.3 V 133 MHZ -25 C~+85 C