K4S56323LF-HN75

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Hersteller-Nummer K4S56323LF-HN75
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie SDRAM
IC-Code 8MX32 SD

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA
Verpackung TRAY
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur -40 C~+125 C
Geschwindigkeit 133 MHZ
Standard Stückzahl 1120
Abmessungen Karton
Number Of Words 8M
Bit Organization x32
Density 256M
Internal Banks 4 Banks
Generation 7th Generation
Power Low, i-TCSR

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4S56323LF-HN75 4.000 Anfrage senden
K4S56323LF-HN75 6.720 06+ Anfrage senden
K4S56323LF-HN75 2.541 2007+ Anfrage senden
K4S56323LF-HN75 48.160 2006+ Anfrage senden
K4S56323LF-HN75 3.360 2006+ Anfrage senden
K4S56323LF-HN75 44.800 2006+ Anfrage senden
K4S56323LF-HN75 43.680 06+ Anfrage senden
K4S56323LF-HN75 1.000 Anfrage senden
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K4S56323LF-HN75 1.120 06+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4S563232F-HN75 FBGA 3.3 V 133 MHZ -40 C~+125 C
K4S563233F-HN75 FBGA 3.3 V 133 MHZ -40 C~+125 C
K4S563233F-HN75 PB FREE FBGA 3.3 V 133 MHZ -40 C~+125 C
K4S563233F-HN75000 FBGA 3.3 V 133 MHZ -40 C~+125 C
K4S563233F-HN750JR FBGA 3.3 V 133 MHZ -40 C~+125 C
K4S563233F-HN75T00 FBGA 3.3 V 133 MHZ -40 C~+125 C
K4S563233FHN7500 FBGA 3.3 V 133 MHZ -40 C~+125 C
K4S56323FHN75 FBGA 3.3 V 133 MHZ -40 C~+125 C