K4S563233F-HN75

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Hersteller-Nummer K4S563233F-HN75
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie SDRAM
IC-Code 8MX32 SD
Andere Bezeichnungen K4S563233F-HN75000
K4S563233F-HN750JR
K4S563233F-HN75T00
K4S563233FHN7500

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA
Verpackung
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur -40 C~+125 C
Geschwindigkeit 133 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 8M
Bit Organization x32
Density 256M
Internal Banks 4 Banks
Power Low, i-TCSR
Generation 7th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4S563233FHN7500 5.542 Anfrage senden
K4S563233F-HN75 4.000 Anfrage senden
K4S563233F-HN75 1.000 2019+ Anfrage senden
K4S563233F-HN75 5.000 21+ Anfrage senden
K4S563233F-HN75000 200 DC05 Anfrage senden
K4S563233F-HN75000 200 5 Anfrage senden
K4S563233F-HN75 2.588 Anfrage senden
K4S563233F-HN75 12.500 Anfrage senden
K4S563233F-HN75 167 Anfrage senden
K4S563233F-HN75 7.500 7 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4S563232F-HN75 FBGA 3.3 V 133 MHZ -40 C~+125 C
K4S563233F-HN75 PB FREE FBGA 3.3 V 133 MHZ -40 C~+125 C
K4S56323FHN75 FBGA 3.3 V 133 MHZ -40 C~+125 C
K4S56323LF-HN75 FBGA 3.3 V 133 MHZ -40 C~+125 C