K4S56323PF-FG75

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer K4S56323PF-FG75
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie SDRAM
IC-Code 8MX32 SD

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur -25 C~+85 C
Geschwindigkeit 133 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 8M
Bit Organization x32
Density 256M
Internal Banks 4 Banks
Power Low, i-TCSR & PASR & DS
Generation 7th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4S56323PF-FG75 6.500 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4S563232F-FN75 FBGA 3.3 V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4S563233F-FE75 FBGA 3.3 V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4S563233F-FG75 FBGA 3.3 V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4S563233F-FN75 FBGA 3.3 V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4S563233F-FN75000 FBGA 3.3 V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4S563233F-HE75 FBGA 3.3 V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4S563233F-HG75 FBGA 3.3 V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4S563233G-HN75 FBGA 3.3 V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4S563233G-HN7500 FBGA 3.3 V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4S56323LF-FE75 FBGA 3.3 V 133 MHZ -25 C~+85 C