K4S641632D-TL1L

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer	K4S641632D-TL1L
Hersteller	SAMSUNG
Produktkategorie	SDRAM
IC-Code	4MX16 SD
Andere Bezeichnungen	K4S641632D-TL1L00
	K4S641632D-TL1L000
	K4S641632DTL1L0
	K4S641632DTL1LT
	K4S641632DTL1LT00

Produktbeschreibung

Gehäuse	TSOP2(54)
Verpackung
RoHS	Leaded
Spannungsversorgung	3.3 V
Betriebstemperatur	-25 C~+70 C
Geschwindigkeit	100 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words	4M
Bit Organization	x16
Density	64M
Internal Banks	4 Banks
Power	Low Power
Generation	5th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer	Menge	Datecode
K4S641632D-TL1L	6.500		Anfrage senden
K4S641632D-TL1L	1.000		Anfrage senden
K4S641632D-TL1L	63	DC00	Anfrage senden
K4S641632D-TL1L	36.000	10+	Anfrage senden
K4S641632D-TL1L	2.000	2008+	Anfrage senden
K4S641632D-TL1L	13.900		Anfrage senden
K4S641632D-TL1L	7.000	2009+	Anfrage senden
K4S641632D-TL1L	9.500	2008+	Anfrage senden
K4S641632D-TL1L	2.547	2007+	Anfrage senden
K4S641632D-TL1L	3.200	10+	Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer	Gehäuse	Spannungsversorgung	Geschwindigkeit	Betriebstemperatur
K4S641632-TL1L	TSOP2(54)	3.3 V	100 MHZ	-25 C~+70 C
K4S641632-TL1LT	TSOP2(54)	3.3 V	100 MHZ	-25 C~+70 C
K4S641632B-TL1L	TSOP2(54)	3.3 V	100 MHZ	-25 C~+70 C
K4S641632E-TL1L	TSOP2(54)	3.3 V	100 MHZ	-25 C~+70 C
K4S641632E-TL1L	TSOP2(54)	3.3 V	100 MHZ	-25 C~+70 C
K4S641632ETI1L	TSOP2(54)	3.3 V	100 MHZ	-25 C~+70 C
K4S641632F-TL1L	TSOP2(54)	3.3 V	100 MHZ	-25 C~+70 C