K4S641632F-TL1L

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer K4S641632F-TL1L
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie SDRAM
IC-Code 4MX16 SD
Andere Bezeichnungen K4S641632F-TL1L000
K4S641632F-TL1LT
K4S641632F-TL1LT00
K4S641632F-TL1LTMT

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(54)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur -25 C~+70 C
Geschwindigkeit 100 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 4M
Bit Organization x16
Density 64M
Internal Banks 4 Banks
Power Low Power
Generation 7th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4S641632F-TL1L 12.000 2008+ Anfrage senden
K4S641632F-TL1L 2.548 2007+ Anfrage senden
K4S641632F-TL1L 30 Anfrage senden
K4S641632F-TL1L000 878 Anfrage senden
K4S641632F-TL1L000 4.179 Anfrage senden
K4S641632F-TL1L 22.000 Anfrage senden
K4S641632F-TL1L 20.000 02+ Anfrage senden
K4S641632F-TL1L 20.000 Anfrage senden
K4S641632F-TL1L 50.000 02+ Anfrage senden
K4S641632F-TL1L 50.000 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4S641632-TL1L TSOP2(54) 3.3 V 100 MHZ -25 C~+70 C
K4S641632-TL1LT TSOP2(54) 3.3 V 100 MHZ -25 C~+70 C
K4S641632B-TL1L TSOP2(54) 3.3 V 100 MHZ -25 C~+70 C
K4S641632D-TL1L TSOP2(54) 3.3 V 100 MHZ -25 C~+70 C
K4S641632D-TL1L TSOP2(54) 3.3 V 100 MHZ -25 C~+70 C
K4S641632E-TL1L TSOP2(54) 3.3 V 100 MHZ -25 C~+70 C
K4S641632E-TL1L TSOP2(54) 3.3 V 100 MHZ -25 C~+70 C
K4S641632ETI1L TSOP2(54) 3.3 V 100 MHZ -25 C~+70 C