K4S641632DTI75

Produktübersicht

IC Picture

Bilder dienen nur der Illustration

Hersteller-Nummer K4S641632DTI75
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie SDRAM
IC-Code 4MX16 SD

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(54)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur -40 C~+85 C
Geschwindigkeit 133 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 4M
Bit Organization x16
Density 64M
Internal Banks 4 Banks
Generation 5th Generation
Power Normal Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4S641632DTI75 20.000 01+ Anfrage senden
K4S641632DTI75 26.000 01 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
( K4S641632N-LI75) TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S641632C-TI75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S641632C-TP1L0 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S641632C-TP1L00 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S641632C-TP1L000 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S641632E-TI/P75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S641632E-TI1L000 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S641632E-TI75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S641632E-TI75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S641632E-TI75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C