K4S641632E-TI/P75

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Hersteller-Nummer K4S641632E-TI/P75
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie SDRAM
IC-Code 4MX16 SD

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(54)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur -40 C~+85 C
Geschwindigkeit 133 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 4M
Bit Organization x16
Density 64M
Internal Banks 4 Banks
Power Normal Power
Generation 6th Generation

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
( K4S641632N-LI75) TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
EDS6416AHTA-75TI-E TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
EDS6416AJTA-75TI-E TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S641632DTI75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S641632E-TI75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S641632E-TI75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S641632E-TI75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S641632E-TI75T00 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S641632ETI-75000 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S641632F-TH75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C