K4S641632H-RN75

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Hersteller-Nummer K4S641632H-RN75
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie SDRAM
IC-Code 4MX16 SD

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(54)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur -25 C~+85 C
Geschwindigkeit 133 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 4M
Bit Organization x16
Density 64M
Internal Banks 4 Banks
Power Low, i-TCSR
Generation 9th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4S641632H-RN75 5.500 Anfrage senden
K4S641632H-RN75 1.000 Anfrage senden
K4S641632H-RN75 831 2004+ Anfrage senden
K4S641632H-RN75 833 2004+ Anfrage senden
K4S641632H-RN75 888 2004+ Anfrage senden
K4S641632H-RN75 4.800 2004 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4S641632F-TE75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4S641632FTE75T TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4S641632H-TG75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -25 C~+85 C